典型的GMR磁性傳感器（也稱為磁強計）的顯微照片如下所示：

自旋電子學傳感器電橋

     金屬合金薄膜是真空沉積在硅片上的。其他制造步驟包括熱退火、磁退火和光刻。GMR電阻通常用光刻技術制成蛇形電阻。蛇形結構使單位面積的阻力最大化。當傳感器采樣時，電阻最大化可使功耗最小化。

atstone在GMR中配置了四個典型的電阻。電橋結構提供了一個易于使用的電壓輸出，與施加的磁場成比例，但對GMR器件絕對電阻的任何變化不敏感。

     其中兩個電阻器是感應電阻器；另外兩個是基準電阻器。參考電阻由一個測量值為0.0004英寸的鎳鐵磁屏蔽覆蓋。厚。作為對外部磁場的響應，暴露在外的傳感電阻器的電阻減小，而參考電阻器保持不變，從而在電橋輸出端產(chǎn)生電壓。

    屏蔽也可以作為感測電阻的磁通集中器，提高器件的靈敏度并提高其空間專一性。由于自旋電子傳感器的小幾何結構，磁通集中特別有效，可以將靈敏度提高到100倍。

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